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    1. 振蕩回路的穩定性由晶體和外圍電路性能共同決定。而振蕩回路的雜散電容難以確定,以及理想負電阻難以實現,這樣很容易造成晶振不穩定或停振。隨著電子產品高速高穩的需求,最佳匹配的模塊化晶體振蕩器在精密儀器儀表,無線定位,目標跟蹤,宇航通訊等廣泛應用。推出各類功能晶振包括: 差分輸出(D); 電磁排除振蕩器(E); 低抖動(J); 可編程(Q); 可切換頻率(S); 超高頻(H); 超寬溫(W); 低功耗(P).

      產品圖片

      尺寸

      型號

      輸出波形

      工作電壓

      頻率范圍Hz

      特種代碼

      參數選擇

      規格書

        1. 7.0x5.0
        2. KS708T
        3. CMOS
        4. 1.8V~3.3V
        5. 150.0M~250.0M
        6. J Q S H

          相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KD708C
        3. HCSL
        4. 1.8V~3.3V
        5. 150.0M~700.0M
        6. D J Q S H

          差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KJ708D
        3. LVDS
        4. 1.8V~3.3V
        5. 150.0M~2.1G
        6. D J Q S H

          差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KJ706D
        3. LVDS
        4. 2.5V~3.3V
        5. 100.0M~1.5G
        6. D J Q S H

          差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KD706C
        3. HCSL
        4. 1.8V~3.3V
        5. 13.5M~250.0M
        6. D

          差分輸出

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KD706D
        3. LVDS
        4. 1.8V~3.3V
        5. 10.0M~1.5G
        6. D

          差分輸出

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KM70
        3. CMOS
        4. 2.5V~3.3V
        5. 3.0M~200.0M
        6. M

          擴頻晶振

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KJ70
        3. CMOS
        4. 1.8V~3.3V
        5. 20.0M~50.0M
        6. J

          相噪抖動

        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KS70
        3. CMOS
        4. 1.2V~5.0V
        5. 0.25M~200.0M
        6. -
        7. 立即選擇
        1. 7.0x5.0
        2. KS7050
        3. CMOS
        4. 1.8V~3.3V
        5. 14K~100K
        6. P

          低功耗

        7. 立即選擇
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